vertical field-effect transistor

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• vertical field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• vertical-channel field-effect transistor — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… …   Wikipedia

• vertical-junction field-effect transistor — lauko tranzistorius su stačiąja sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical junction field effect transistor vok. Vertikalübergang Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с вертикальным p n переходом, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Carbon Nanotube Field Effect Transistor — Le transistor à effet de champ à nanotube (CNFET), utilise un nanotube de carbone mono paroi dans une structure s’apparentant à un transistor à effet de champ (FET)conventionnel Un CNFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif …   Wikipédia en Français

• transistor à effet de champ vertical — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• transistor à effet de champ à jonction verticale — lauko tranzistorius su stačiąja sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical junction field effect transistor vok. Vertikalübergang Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с вертикальным p n переходом, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… …   Wikipedia

• Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

• NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

• PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia